黑硅技术将提高多晶电池性价比，但难以解决光衰问题
由于金刚线切割的多晶硅片损伤层较浅，采用传统的 HF/HNO3 制绒工艺表面反射率较高，一直制约着金刚线切割在多晶硅上的大规模应用。
而通过黑硅技术，可以很大幅度上解决金刚线切割带来的制绒工艺的困难，还能够形成纳米级凹坑，增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以提升转换效率，虽然制绒过程会额外增加成本，但是总体而言，将黑硅技术同金刚线切割技术叠加，能够有效的降低多晶电池片的成本，黑硅路线是多晶电池必须走通一条道路。
目前市场上量产的黑硅技术主要分为离子反应法（RIE），湿法制绒的 MCCE 法，以及添加剂法。
将 PERC 技术同黑硅电池技术叠加，能够进一步提高多晶电池的效率，根据数据，其黑硅多晶电池在叠加了 PERC 技术之后，今年的 Q4 量产电池效率能达到 20.5%。
由于金刚线切割的多晶硅片损伤层较浅，采用传统的 HF/HNO3 制绒工艺表面反射率较高，一直制约着金刚线切割在多晶硅上的大规模应用。
而通过黑硅技术，可以很大幅度上解决金刚线切割带来的制绒工艺的困难，还能够形成纳米级凹坑，增加入射光的捕捉量，降低多晶电池片的光反射率以提升转换效率，虽然制绒过程会额外增加成本，但是总体而言，将黑硅技术同金刚线切割技术叠加，能够有效的降低多晶电池片的成本，黑硅路线是多晶电池必须走通一条道路。
图：常规制绒的金刚线切割多晶硅片的反射率过高
图：黑硅多晶电池与常规多晶电池的外观比较
图：黑硅多晶电池的反射率要低于常规多晶电池
图：黑硅技术叠加金刚线切割能够有效降低多晶成本
目前市场上量产的黑硅技术主要分为离子反应法（RIE），湿法制绒的 MCCE 法，以及添加剂法。
参考中国报告网发布《2018-2023年中国锂电池行业盈利现状与投资前景评估报告》
其中 RIE技术对多晶电池的效率提升较高，目前国内企业以晶科、晶澳为代表，但 RIE 路线需要的设备价格较贵，单台成本超过 1000 万元以上，产能不高；湿法黑硅技术设备投资少，MCCE-2 设备每台投资 200~300 万元，但面临废液回收问题，国内代表企业是阿特斯、中节能（镇江）、晶科等公司。
表：黑硅制绒工艺种类及优劣分析
将 PERC 技术同黑硅电池技术叠加，能够进一步提高多晶电池的效率，根据数据，其黑硅多晶电池在叠加了 PERC 技术之后，今年的 Q4 量产电池效率能达到 20.5%。
图：协鑫黑硅 PERC 电池效率今年 Q4 将达 20.5%
资料来源：中国报告网整理，转载请注明出处（GQ）
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