主流存储器面临着一些不足和发展瓶颈，新型存储器在创新方面主要延两个方向：1）空间结构由 2D 变为 3D；2）采用新的存储器件结构或材料。
目前的主要新型存储器包括：3DNAND、PCRAM 和 3D Xpoint（相变材料3D堆叠）。3D NAND Flash：平面微缩技术存在发展瓶颈，3D NAND 将会成为趋势。其主要优点包括：低单位成本：随着制成的不断减小，特别是16nm之后，平面微缩工艺的难度越来越大，通过平面微缩带来的成本优势开始减弱；大容量、低功耗：通过 3D 技术能够解决 2D 时随着制成变小而引起的存储单元之间的串扰效应和栅氧化层导致的电子击穿效应。3D NAND可以轻松地在宽松的制成下得到更高的容量，并且性能更好，功耗更低。
相变存储器 PCM：是利用材料晶态和非晶态之间转化后导电性的差异来存储信息。相变存储器的核心是找到好的相变材料，找到低功耗高速的材料。一般步骤是：发现新材料、掺杂改性、构造复合相变材料。
参考观研天下发布《2016-2022年中国存储器行业运营现状调查及十三五竞争战略分析报告》
存储器从技术上看可分为控制电荷的电荷式和控制阻变分子的电阻式两种。电荷型存储器目前的问题有两个，一个是电子相互排斥不容易做小，另外一个是高k金属栅新型CMOS技术不兼容。而相变存储器属于电阻式存储器，能与高K、金属栅新型CMOS技术兼容，性能优越。相比于传统的存储器，PCRAM 具有嵌入式、高密度，高速随机读写、寿命长等特点。
3D XPoint：2015 年7月，英特尔和美光在英特尔技术峰会上联手发布了3D XPoint 的新一代存储器技术，3D XPoint 最核心的就是利用了两种相变材料的特性，在此基础上进行 3D 堆叠。该技术经历了十年研发，被英特尔称为自1989 年NAND 被发明后存储领域的第一次质的突破。
3D XPoint 第一次在实际产品上实现了低成本，高速度，非易失三大性能的结合。
3D XPoint 性能优越： 1）3D XPoint的随机写入速率是NAND 的1000 倍，密度是DRAM 的10倍；2）3D XPoint拥有更为宽松的蚀刻尺寸要求和层数添加空间，大大降低了制备成本。
3D XPoint 应用前景广阔：3D XPoint具备极高的访问速度，能够很好地降低处理器和数据之间的延迟，具备很大的应用前景。Intel 认为 3D XPoint 技术既可用于 NAND 闪存，也具备做 DRAM 内存，Intel 表明首先会在服务器产品上使用3DX Point 技术，用3D XPoint 技术制造的NVDIMM 和SSD 都将直接与CPU 连接。
目前的主要新型存储器包括：3DNAND、PCRAM 和 3D Xpoint（相变材料3D堆叠）。3D NAND Flash：平面微缩技术存在发展瓶颈，3D NAND 将会成为趋势。其主要优点包括：低单位成本：随着制成的不断减小，特别是16nm之后，平面微缩工艺的难度越来越大，通过平面微缩带来的成本优势开始减弱；大容量、低功耗：通过 3D 技术能够解决 2D 时随着制成变小而引起的存储单元之间的串扰效应和栅氧化层导致的电子击穿效应。3D NAND可以轻松地在宽松的制成下得到更高的容量，并且性能更好，功耗更低。
图表：3D NAND FLASH 未来将更具成本优势
图表：3D NAND 比 2D NAND 性能更优
相变存储器 PCM：是利用材料晶态和非晶态之间转化后导电性的差异来存储信息。相变存储器的核心是找到好的相变材料，找到低功耗高速的材料。一般步骤是：发现新材料、掺杂改性、构造复合相变材料。
参考观研天下发布《2016-2022年中国存储器行业运营现状调查及十三五竞争战略分析报告》
存储器从技术上看可分为控制电荷的电荷式和控制阻变分子的电阻式两种。电荷型存储器目前的问题有两个，一个是电子相互排斥不容易做小，另外一个是高k金属栅新型CMOS技术不兼容。而相变存储器属于电阻式存储器，能与高K、金属栅新型CMOS技术兼容，性能优越。相比于传统的存储器，PCRAM 具有嵌入式、高密度，高速随机读写、寿命长等特点。
图表：PCM性能优势
图表：目前公司、院校研究PCM情况
3D XPoint：2015 年7月，英特尔和美光在英特尔技术峰会上联手发布了3D XPoint 的新一代存储器技术，3D XPoint 最核心的就是利用了两种相变材料的特性，在此基础上进行 3D 堆叠。该技术经历了十年研发，被英特尔称为自1989 年NAND 被发明后存储领域的第一次质的突破。
3D XPoint 第一次在实际产品上实现了低成本，高速度，非易失三大性能的结合。
图表：D Xpoint 结构图
图表：3D XPoint 实现低成本、高速度、非易失
3D XPoint 性能优越： 1）3D XPoint的随机写入速率是NAND 的1000 倍，密度是DRAM 的10倍；2）3D XPoint拥有更为宽松的蚀刻尺寸要求和层数添加空间，大大降低了制备成本。
3D XPoint 应用前景广阔：3D XPoint具备极高的访问速度，能够很好地降低处理器和数据之间的延迟，具备很大的应用前景。Intel 认为 3D XPoint 技术既可用于 NAND 闪存，也具备做 DRAM 内存，Intel 表明首先会在服务器产品上使用3DX Point 技术，用3D XPoint 技术制造的NVDIMM 和SSD 都将直接与CPU 连接。
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