光模块制造由数个阶段聚合：芯片、TO、器件最后成模块，上游芯片处于核心地位，分为光芯片和电芯片两部分，其中光芯片是衡量光通信产业技术水准的核心，包括外延生长、光刻、镀膜、解理、测试等众多环节。因为晶体物理性质独特，需要逐批调测，且受限于关键工艺环节的成品率，直接导致光芯片产业规模不及半导体。由此可见，稳定量产对于光器件的成熟度和竞争力至关重要。
目前我国在 IDC 和运营商网络中大量使用 10G 光收发器，此级别器件是国内目前能够稳定量产的旗舰器件。在对带宽和稳定性要求不高的众多场景，如数据中心、接入等，该类器件能够满足方案整体对性能和成本的折中，并在一定程度上集成为高带宽的芯片，所以众多方案都是围绕 10G 收发器设计，只有对带宽、传输距离和可靠性要求更高的场景才会进口 25G 以上芯片。
基于现状，我们给出两个判断：一方面，中国 PON 设备消费量超过了全球 80%。中电信和中联通也发出了大型 10G EPON 合同，引导下一代接入网发展，希望采用 10G PON 来支持 1G 带宽产品和智慧城市发展，放量前景广阔。但实际上FTTx 光器件年均售价降幅达 10%，而下一代 OLT 光器件降幅将更高。在技术成熟度完成和充分竞争开始后，器件厂商因处于被上游支配的产业地位，将不得不忍受长期持续的降价。
另一方面，流量驱动整网升级换代，对运营商网络和数据中心全面提出了代际更替的要求，10G 已在沉入接入侧，互联网公司意识到 IDC 方案设计滞后，大量资本沉积在低端器件势必拖累后续业务爆发引入的延展需求，正积极研究和部署。25G 芯片越来越成为这个原本属于定制化领域中的关键路标，为提升竞争力和盈利水平，几乎有能力的厂商一致瞄准了这个方向。
参考观研天下发布《2018-2023年中国光器件产业市场运营规模现状与发展商机分析研究报告》
目前全球市场主流高端光模块速率为 100Gbps，由 25G 芯片集成，更高水平的400G 和 T 级光模块也在研发或预研中。目前能够供应长短距离的 100G 光模块厂商包括 Finisar、 JDSU、Oclaro、Fujitsu、Sumitomo 和昂纳科技，思科收购 Lightwire后能够自给，国内 Hisilicom 掌握了核心技术，并可以达成对华为供货。
在光芯片领域我们与海外厂商的相对距离在缩小，但绝对距离还在扩大。目前光迅科技、旭创和海信等中国器件商已能够小批量供货，但还无法实现长距离，若干关键场景商处于样片阶段。而国外 400G CDFP MSA 在今年已经成立，发起方包括 Avago、 Brocade、IBM、 JDSU、 Juniper、Molex 和 TE Connectivity，后续加入的厂商包括 FCI、Finisar、华为、Inphi、Mellanox、Oclaro、 Semtech 和Yamaichi。而国内自主研发光芯片整体处于 10G 水平，对 25G 及以上技术没有完全掌握，落后了一整个关键环节。由于光芯片作为基础产业需要长期投入积累，中国厂商在短期内追赶压力巨大。可喜的是国内厂商已经明确了产业发展的路径和自身地位，2016 年部分产线上马调测，2017 年部分型号 25G 芯片有望量产，填补国内基础网络中的关键空白。我们认为，作为通信基础能力体现的光器件，在未来三年将是发展最明确的产业链环节。
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