行业并没有走到极限,只是放缓。我们认为虽然受到尺寸、散热、成本的约束,摩尔定律在过去两年有放慢的趋势,但仍未走到尽头。英特尔研发部门正在不断进行前沿创新技术的探索,以推动摩尔定律的发展。
领先的技术包括:
1)纳米线晶体管(Nanowire transistors):纳米线的结构可提供改进通道静电,从而进一步实现晶体管栅极长度的微缩,因此被认为是未来技术的一种选择。
2)III-V 晶体管(III-V transistors):尽管硅是 MOSFET 通道中经常使用的材料,但 III-V 材料(如砷化镓和磷化铟)改进了载流子迁移率,从而提供更高的性能或者能够在更低的电压和更低的有功功耗下运行晶体管。
3)3D 堆叠(3D stacking):硅晶片的 3D 堆叠有机会实现系统集成,以便把不同的技术混装到一个很小的地方。
4)密集内存(dense memory):多种不同的高密度内存选择,其中包括易失性和非易失性存储技术,正在探索和开发中。
参考观研天下发布《2018年中国半导体市场分析报告-行业深度调研与投资前景预测》
5)微缩互联(Scaling interconnects):对于精尖制程工艺来说,微缩互联和微缩晶体管一样重要。新的材料和图案成形技术正在探索中,以支持高密度互联。
2017 年 28nm 制程芯片产品销售占比最高。半导体芯片的制程在 2003 年从微米时代进入了纳米时代,并每两年左右减小 30%(Gartner 数据),目前主流的芯片制程包括 90nm、 65nm、40nm、28nm、16nm。由于 28nm 制程芯片制造工艺成熟,且具有高性价比,因此也成为生产最多的芯片,销售占比近 30%(Gartner 数据)。
半导体芯片向更低制程方向发展:随着 16nm 及更低制程芯片的生产工艺不断成熟,生产成本不断降低,以及下游产业对更小体积、更低功耗、运算能力更强的半导体芯片需求不断提升,20/16nm 制程的芯片销售占比也在快速提升,未来有望超过 28nm 芯片。从技术的发展路径来看,更低制程的芯片是发展的必然方向。目前全球晶圆厂领先者正在积极布局 10/7nm 工艺,预计 2-3 年能够量产,下一代 5/3nm 工艺预计 2022 年量产。
【版权提示】观研报告网倡导尊重与保护知识产权。未经许可,任何人不得复制、转载、或以其他方式使用本网站的内容。如发现本站文章存在版权问题,烦请提供版权疑问、身份证明、版权证明、联系方式等发邮件至kf@chinabaogao.com,我们将及时沟通与处理。